郑耀宗，微电子学专家。1939年2月9日生于香港，籍贯广东中山。1963年毕业于香港大学，获理学士学位。1967年获加拿大卑诗大学博士学位。曾任香港大学校长。1999年当选为中国科学院院士。
长期以来对金属－氧化硅－硅（MOS）系统及其器件物理和工艺技术进行了系统研究。发明了掺氯化氢硅氧化技术，解决了当时MOS器件和集成电路阈值电压漂移、不能稳定工作的难题，使MOS器件和电路的性能、可靠性和成品率大大提高。在国际上首先提出了MOS反型层载流子表面粗糙度散射理论，在MOS集成电路进入深亚微米阶段后，这一机理已成为决定MOS反型层载流子迁移率的主要因素，这是对MOS器件物理的一大发展。是较早开展氮化硅技术的研究者之一。在深亚微米器件模型研究工作中取得重要成果。
三乡镇 三乡镇位于市境南部，毗邻珠海市，面积93平方公里，辖12个村民委员会和2个居民委员会，户籍人口3.7万人，非户籍人口12.1万人。2006年，落实科学发展观，以构建“两个适宜”和谐三乡为目标，加快经济增长方式的转变，经济、社会事业稳健发展。实现生产总值44.02亿元，比上年增长11.11%；工农业总产值106.97亿元，增长17.24%；三次产业比例为1.…… 详细++
同年(公元1939年)出生的名人：姚建铨 中国科学院院士 江苏省无锡 吴宏鑫 中国科学院院士 江苏省镇江丹徒区 吴培亨 中国科学院院士 上海市 夏建白 中国科学院院士 江苏省苏州 李启虎 中国科学院院士 浙江省温州 + 更多公元1939年出生的名人》
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